Последовательное чтение 500 MB/s
Последовательная запись 460 MB/s
Случайное чтение (участок 100%) 75000 IOPS
Случайная запись (участок 100%) 36000 IOPS
Компоненты Intel NAND Flash Memory Multi-Level Cell (MLC) Technology
Емкость 800 GB
Форм-фактор 2.5"
Интерфейс SATA 6Gb/s
Литография 25nm
Advanced Technologies
Расширенная защита от потери данных при отключении питания Yes
Аппаратное шифрование AES 256bit
?High Endurance Technology (HET) Yes
Мониторинг и журналирование температуры Yes